半導體生產用超純水設備的工藝流程

半導體生產用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格，達到PPb級，產水水質要求在18.2MΩ·cm以上。

半導體生產用超純水設備工藝流程

1.反滲透純水設備

RO反滲透膜的工作原理是對水施加一定的壓力，使水分子和離子態的礦物質元素通過一層反滲透膜，而溶解在水中的絕大部分無機鹽(包括重金屬)、有機物以及細菌、病毒等無法透過反滲透膜，從而透過的純水和無法透過的濃縮水嚴格的分開;

反滲透膜上的孔徑只有0.0001um，而病毒的直徑一般有0.02-0.4um，普通細菌的直徑有0.4-1um。反滲透純水機的正常工作有賴于一定的壓力，這個壓力大于滲透膜的滲透壓，一般是2.8公斤/平方厘米。

在水壓或水壓不穩定的地區，我們建議您一定要購買有前段增壓泵的反滲透純水系統，它的工作壓力可達0.3-0.6Mpa，不受自來水壓限制，制水效率高,速度快、排濃縮水少。

反滲透有效的除鹽，一級反滲透設備出水電阻率一般在0.05-0.5MΩ·CM。此純水系統產水品質穩定，是目前比較通用的純水生產設備，生產品質基本滿足FPC/PCB生產需求。

2.EDI電除鹽超純水系統

連續電除鹽(EDI)，是利用混和離子交換樹脂吸附給水中的陰陽離子，同時這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下，分別透過陰陽離子交換膜而被除去的過程。這一過程離子交換樹脂是電連續再生的，因此不需要使用酸和堿對之再生。

這種新技術可以替代傳統的離子交換裝置，生產出高達18MΩ·CM的超純水。整個工藝流程前面的部分和常規的水處理工藝沒有很大區別，一般是先經過預處理，然后加藥殺毒，再經過RO反滲透系統，再使用EDI設備制取超純水。